• blaen nodwedd
Mewn cylchedau electronig, amrwd yr esgobant yn y pen poeth, yn negyddol ar y pen isel, bydd yr esgobant yn cynnal y cysylltiad hwn, a elwir yn flaengwydd. Rhaid dweud, pan fo'r foltedd ymlaen esgobant yn fach iawn, nad yw esgobant yn dal i fynd heibio, mae llifau cyfredol drwy'r esgobant yn wan iawn. Dim ond pan fydd y foltedd yn cyrraedd gwerth penodol (gelwir y gwerth hwn yn "foltedd trothwy" tiwb GE yw tua 0.2V, mae Sileicon tua 0.6V), y dargludiad esgobaidd. Mae foltedd esgobant yn aros yn ddigyfnewid yn y bôn (mae tiwb GE tua 0.3V, tiwb silicon yw tua 0.7V), y cyfeirir ato fel "gostyngiad pwysedd" esgobaidd.
• nodwedd wrthdro
Mewn cylchedau electronig, amrwd yr esgobant yn y pen oer, negyddol yn y pen poeth, ychydig yn gyfredol yn yr esgobant, a'r esgobant mewn Gwladwriaeth fel ar hyn o bryd, y math hwn o gysylltiad, a elwir yn duedd wrth gefn. Pan fydd yr esgobant yn rhagfarnllyd, bydd llifau presennol gwan o hyd drwy'r esgobant, a elwir yn gyfredol sy'n gollwng. Pan fydd foltedd gwrthdro'r esgobant yn cael ei gynyddu i werth penodol, gwrthdroi'r cynnydd presennol yn sylweddol, bydd yr esgobant yn colli dargludedd un cyfeiriad, gelwir y Wladwriaeth hon yn ddadansoddiad o'r esgobant. Rhaid i'r presennol fod yn fwy na dwysedd cyfredol critigol yr esgobant laser, laser i wrthdroi amodau yn cael eu bodloni a'u cyhoeddi. Dwysedd cyfredol critigol a thymheredd yr wyneb, a budd anuniongyrchol. Gweithrediadau tymheredd uchel, cynnydd critigol ar hyn o bryd, proffidioldeb a lleihau neu hyd yn oed ddifrod cydrannau.